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- 型号： R1LP5256ESA-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LP5256ESA-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LP5256ESA-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LP5256ESA-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LP5256ESA-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LP5256ESA-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LP5256ESA-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为512K×8位（即4Mb），工作电压为3.3V，访问时间典型值为7ns，采用44引脚TSOP-II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并支持三态输出与字节控制（UB/LB）。 该器件主要面向对可靠性、低功耗和快速存取有较高要求的嵌入式工业应用场景，典型应用包括：工业自动化设备（如PLC、HMI人机界面、运动控制器）中的高速缓存或临时数据缓冲；通信设备（如网络交换模块、基站基带单元）中用于帧缓存或协议处理中间存储；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需稳定运行且符合工业温宽的实时数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）或ADAS辅助系统中非安全关键路径的高速本地RAM需求（需注意该型号为工业级，非AEC-Q100认证，故不适用于核心动力/安全域，仅限车载信息娱乐或舒适系统等二级应用）。 其低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）也适合电池供电或能效敏感型设备。需注意：该芯片已于瑞萨官方产品生命周期中进入“Not Recommended for New Designs”（NRND）状态，新设计建议评估替代型号（如R1LP0408/16系列），但现有产线仍可继续使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LP5256ESA-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-TSOP |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-TSSOP （0.465"， 11.80mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 70ns |
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