Datasheet下载- 型号： PZU9.1B2,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU9.1B2,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU9.1B2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU9.1B2,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU9.1B2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU9.1B2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU9.1B2,115 是 Nexperia 推出的高精度、低功耗齐纳二极管，标称稳压值为 9.1 V（容差 ±2%），采用超小型 SOD-323 封装，具有低动态阻抗（典型值 30 Ω）和低漏电流（<100 nA @ 6 V），适用于对精度、尺寸和可靠性要求较高的场景。 典型应用场景包括： - 精密电压基准与参考源：为 ADC/DAC、传感器信号调理电路或微控制器内部基准提供稳定 9.1 V 基准； - 过压保护与箝位电路：在电源输入端或敏感接口（如 I²C、GPIO）中，配合限流电阻实现瞬态电压箝位，防止后级 IC 过压损坏； - 低压差线性稳压器（LDO）反馈网络：作为外部分压基准，提升输出电压精度与温度稳定性； - 工业与汽车电子中的稳压检测：用于电池电压监控、电源状态指示或 MCU 复位电路（需搭配适当分压），符合 AEC-Q200 认证（该型号为车规级版本），适用于车载信息娱乐、车身控制等环境； - 便携式设备电源管理：因封装小（1.7×1.3 mm）、功耗低（最大功率 300 mW），适用于智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的空间受限稳压节点。 其高良率、强ESD防护（HBM ≥8 kV）及宽工作温度范围（–65°C 至 +150°C）进一步保障了在严苛环境下的长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 310MW SOD323F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU9.1B2,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3944-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
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