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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU5.6B2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU5.6B2,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU5.6B2,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PZU5.6B2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PZU5.6B2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU5.6B2,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的高精度、低功耗齐纳二极管,标称稳压值为5.6 V,容差±2%,采用SOD-323小尺寸表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 精密电压基准与参考源:适用于对稳定性要求较高的模拟电路(如ADC/DAC参考、传感器信号调理电路),提供低温度系数(约−2 mV/°C)和良好长期稳定性。 2. 电源轨过压保护与箝位:常用于LDO输出端或微控制器I/O口前端,配合限流电阻实现简单可靠的5.6 V电平箝位,防止瞬态过压损坏敏感器件。 3. 低成本线性稳压辅助电路:在无需大电流的场合(如待机电源、实时时钟RTC供电),可替代低压差稳压器,为小电流负载(<10 mA)提供稳定偏置电压。 4. 工业与汽车电子中的电压监控:配合比较器构成简易电源电压检测电路,用于系统上电复位(POR)、欠压锁定(UVLO)或电池电压监测(如12 V系统中监测5.6 V基准点)。 该器件具有低动态阻抗(≈30 Ω)、低漏电流(IR < 100 nA @ 1 V)及AEC-Q200认证(适用于汽车级应用),广泛用于车载信息娱乐、车身控制模块及工业传感器节点等对可靠性与空间有严格要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 310MW SOD323F稳压二极管 ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PZU5.6B2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZU5.6B2,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 2.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3924-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 40 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.1 V at 100 mA |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.6V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 1.9 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 40 欧姆 |
| 零件号别名 | PZU5.6B2 T/R |
| 齐纳电压 | 5.61 V |