Datasheet下载- 型号： PZU3.9B2L,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.9B2L,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.9B2L,315价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.9B2L,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU3.9B2L,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU3.9B2L,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU3.9B2L,315 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高精度、低功耗齐纳二极管，标称稳压值为3.9 V，容差±2%，采用小型SOD-323（SC-76）封装，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：用于低压便携式设备（如TWS耳机、智能手环、传感器节点）中为ADC、MCU或LDO提供精准参考电压； 2. 过压保护与箝位电路：配合TVS或MOSFET实现I/O端口（如USB、I²C、GPIO）的静电防护与信号电平箝位，防止3.3 V系统因瞬态电压损坏； 3. 电池电压监测：在锂离子/聚合物电池供电设备中，配合分压电阻检测电池电压是否处于3.9 V安全阈值附近（如低电量告警或休眠触发）； 4. 精密偏置电路：为运算放大器、比较器或RF前端电路提供稳定偏置点，适用于对噪声和温漂敏感的模拟应用； 5. 工业与汽车电子辅助功能：符合AEC-Q200可靠性标准（该型号为车规级衍生版本），可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的非主控类稳压需求。 其小尺寸、低漏电流（典型值<10 nA @ 1 V）及高ESD耐受能力（HBM ≥8 kV），特别适合空间受限、功耗敏感且需高可靠性的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 250MW SOD882 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU3.9B2L,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 934061660315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 90 欧姆 |
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