Datasheet下载- 型号： PZU3.9B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZU3.9B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZU3.9B,115价格参考。NXP SemiconductorsPZU3.9B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PZU3.9B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZU3.9B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZU3.9B,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的3.9 V、高精度齐纳二极管（单管），采用SOD-323小体积表面贴装封装，具有低动态阻抗（典型值<30 Ω）、 tight容差（±2%，即3.82–3.98 V）、低漏电流（IR < 100 nA @ VR=1 V）及优异的长期稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 精密电压基准与稳压：为低功耗传感器、ADC/DAC参考源、微控制器复位电路（如监控3.3 V系统电源）提供稳定3.9 V基准； 2. 过压保护与箝位：在I/O端口或信号线上用作ESD保护后的二级电压箝位器件，限制瞬态电压不超过3.9 V； 3. 电源轨监测与反馈：在LDO或DC-DC转换器的反馈网络中辅助实现精准输出电压设定（如配合分压电阻微调至3.3 V/2.5 V等）； 4. 便携式与电池供电设备：因SOD-323封装尺寸小（1.7×1.3×0.9 mm）、功耗低（最大功率250 mW），广泛用于智能手机、可穿戴设备、IoT节点等空间与功耗敏感场景； 5. 工业与汽车电子：符合AEC-Q200可靠性标准（部分批次），适用于车载信息娱乐系统电源监控、工业传感器信号调理等对温度稳定性（-65°C ~ +150°C）和可靠性要求较高的场合。 注：实际应用中需注意散热设计与功率降额（高温下需降低功耗），并避免反向电流超限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 310MW SOD323F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PZU3.9B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-3904-6 |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 90 欧姆 |
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