Datasheet下载- 型号： PUMF12,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMF12,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMF12,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMF12,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMF12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMF12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMF12,115 是 Nexperia 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含 R1/R2），采用 SOT-363（SC-70-6）封装，含两个独立的 NPN 通道。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：如微控制器（MCU）GPIO 扩展，驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器，预偏置设计简化外围电路，无需外接基极限流电阻； 2. 电源管理中的负载开关：用于低功耗设备中控制模块供电通断（如传感器、通信模块的使能控制），响应快、功耗低； 3. 信号切换与多路复用：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中实现信号路径选择或状态指示（如充电/工作状态双LED控制）； 4. 工业与消费类电子中的简单放大/开关应用：如光电耦合器输出级、编码开关消抖、小电流负载（<100 mA）开关控制等。 该器件具有高增益（hFE 通常 160–400）、低饱和压降（VCE(sat) 典型值 0.1 V @ IC = 10 mA）、ESD防护（HBM > 8 kV），适合空间受限、强调可靠性与BOM简化的应用。不适用于大功率、高频（>100 MHz）或线性放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PUMF12,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 200mV @ 5mA， 50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934057332115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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