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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE253.6B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE253.6B价格参考。ROHM SemiconductorPTZTE253.6B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PTZTE253.6B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PTZTE253.6B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTZTE253.6B 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款单齐纳二极管,其主要功能是通过稳定的反向击穿电压来提供电压调节和保护作用。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电压稳压 - PTZTE253.6B 的齐纳电压(Vz)为 3.6V,适用于低电压电路中的稳压需求。例如,在电源电路中,它可以用于稳定参考电压,确保后级电路的供电电压保持恒定。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,PTZTE253.6B 可以用来防止输入电压过高。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将多余的能量释放到地线,从而保护后续电路免受损害。 3. 信号电平调整 - 在模拟信号处理电路中,这款齐纳二极管可以用来限制信号的幅值,避免信号超出预定范围。例如,在音频或传感器信号处理中,它能够防止信号失真。 4. 电源监控与复位电路 - 在微控制器或其他数字系统中,PTZTE253.6B 可用于设计简单的电源监控电路。当电源电压下降到低于齐纳电压时,齐纳二极管会触发复位信号,确保系统在异常情况下重启。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的性能可能会受到温度变化的影响。PTZTE253.6B 的设计考虑了温度稳定性,因此可以在需要精确电压调节的温度补偿电路中使用。 6. 基准电压源 - 在精密测量或比较器电路中,PTZTE253.6B 可作为稳定的基准电压源,提供准确的参考电压。 注意事项 - 使用时需注意功率限制(Ptot = 200mW),避免因电流过大导致器件损坏。 - 应根据具体应用选择合适的限流电阻,以确保齐纳二极管工作在其额定范围内。 总结来说,PTZTE253.6B 主要应用于低电压稳压、过压保护、信号调整以及基准电压生成等场景,适合小型化和高效率的电子设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3.8V 1W PMDS稳压二极管 3.6V 40MA |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE253.6B- |
数据手册 | |
产品型号 | PTZTE253.6B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 60µA @ 1V |
产品 | Zener Diode |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | PMDS |
其它名称 | PTZTE253.6BDKR |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
封装/箱体 | SOD-106-2 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 1500 |
最大反向漏泄电流 | 60 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.8V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | - 2.8 mV/C |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 3.813 V |
齐纳电流 | 40 mA |