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- 型号： PTVS8V0P1UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS8V0P1UP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS8V0P1UP,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS8V0P1UP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS8V0P1UP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS8V0P1UP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS8V0P1UP,115 是 NXP USA Inc. 推出的单向TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高可靠性、低钳位电压的静电放电（ESD）和浪涌保护而设计。其典型应用场景包括： - 高速数据接口保护：如USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI、LVDS等端口，可承受IEC 61000-4-2 Level 4（±15 kV接触放电）严苛ESD冲击，响应时间小于1 ns，有效防止接口芯片损坏； - 电源输入端防护：用于5 V或8 V供电轨（如机顶盒、智能电视、显示器主板的VCC/VDD线路），抑制EFT（电快速瞬变）和雷击感应浪涌（IEC 61000-4-4/5）； - 消费电子与工业显示设备：广泛应用于液晶电视、数字标牌、车载信息娱乐系统（IVI）中，保护视频处理IC、TCON（时序控制器）及背光驱动电路； - 空间受限场景：采用超小型SOD128（SOD-128）封装（尺寸仅2.7 × 1.7 × 1.0 mm），适合高密度PCB布局； - 汽车电子兼容应用：虽非AEC-Q200认证器件，但其宽工作温度范围（–65 °C 至 +150 °C）及高可靠性使其常用于非安全关键车载显示屏模块。 该器件具有低漏电流（<1 µA @ VR）、精确击穿电压（典型8.0 V）、低钳位电压（12.5 V @ 10 A），兼顾保护性能与系统功耗要求，是成本敏感型高性能ESD防护方案的优选。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD128TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 9.36V 44.1A |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS8V0P1UP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS8V0P1UP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-5340-2 |
| 击穿电压 | 9.36 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 44.1 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.89V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 44.1A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxP1UP |
| 钳位电压 | 13.6 V |
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