Datasheet下载- 型号： PTVS48VP1UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTVS48VP1UP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTVS48VP1UP,115价格参考。NXP SemiconductorsPTVS48VP1UP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTVS48VP1UP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTVS48VP1UP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTVS48VP1UP,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 TVS（瞬态电压抑制器）二极管，主要用于保护电子设备免受瞬态过电压的损害。以下是该型号的应用场景： 1. 电源保护 - 适用于交流或直流电源输入端口的过压保护，例如开关电源、适配器和充电器等。 - 能够抑制雷击、电感负载切换或其他瞬态事件引起的电压尖峰。 2. 通信接口保护 - 用于保护 RS-232、RS-485、USB、以太网等通信接口，防止静电放电（ESD）和浪涌冲击。 - 确保数据传输的稳定性和设备的安全性。 3. 汽车电子系统 - 在汽车电子中，用于保护车载音响、导航系统、传感器和控制器等关键组件。 - 抵御因电池短路、负载突降或电磁干扰引起的过压问题。 4. 工业控制设备 - 为工业自动化设备中的继电器、电机驱动器和可编程逻辑控制器（PLC）提供保护。 - 防止因感应负载切换或电网波动导致的设备损坏。 5. 消费类电子产品 - 应用于电视、家用电器、游戏机等产品的电源和信号线路保护。 - 提高产品在复杂电磁环境下的可靠性和耐用性。 6. 医疗设备 - 保护便携式医疗设备（如血压计、血糖仪）和大型医疗设备（如超声波设备）免受过压影响。 - 确保设备在关键时刻的正常运行。 特点总结： - 高浪涌能力：能够承受高达 115A 的峰值电流。 - 快速响应时间：对瞬态电压的反应迅速，有效减少设备受损风险。 - 低漏电流：确保在正常工作条件下对电路的影响最小化。 通过在上述应用场景中使用 PTVS48VP1UP,115，可以显著提高电子系统的安全性和稳定性，延长设备寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 48VWM 77.4VC SOD128TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 UNI 1CH 56.1V 7.8A |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PTVS48VP1UP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTVS48VP1UP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-5330-1 |
| 击穿电压 | 56.1 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 尺寸 | 2.7 mm W x 4 mm L x 1.1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 7.8 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 53.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 48V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 77.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 7.8A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PTVSxP1UP |
| 钳位电压 | 77.4 V |
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