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  • 型号: PSMN8R0-30YLC115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R0-30YLC115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R0-30YLC115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R0-30YLC115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN8R0-30YLC115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN8R0-30YLC115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN8R0-30YLC115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 8.0 mΩ @ Vgs=10V,8.8 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=30A,脉冲可达120A)及优异的热性能。

其典型应用场景包括:  
✅ DC-DC 电源转换:广泛用于服务器/通信设备中的同步整流 Buck 转换器、POL(负载点)模块,提升效率并降低温升;  
✅ 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制、风扇/泵驱动等,支持 4.5V 逻辑电平直接驱动,简化栅极驱动设计;  
✅ 电源管理与保护电路:如电子保险丝(eFuse)、热插拔控制器、负载开关,利用其快速开关特性(tₐₙ/tₒff 约数十纳秒)和低导通损耗实现高效过流/短路保护;  
✅ 工业自动化与照明:LED 恒流驱动、PLC 输出级开关、继电器替代方案,兼顾可靠性与能效;  
✅ 电池供电系统:在便携式医疗设备、手持终端中用作高效电源通路(Power Path)开关,支持低电压启动(Vgs(th) 1–2.5V)。

该器件通过 AEC-Q101 认证(注:需核实具体批次或版本,标准版 PSMN8R0-30YLC115 为工业级,部分衍生型号满足车规),具备强抗雪崩能力与鲁棒的ESD防护(HBM ±2kV),适用于高可靠性、高功率密度的中低压(≤30V)开关场景。
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