Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-100ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-100ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-100ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-100ES,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R0-100ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-100ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN7R0-100ES,127是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET（单管），采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅7.0 mΩ @ VGS = 10 V，8.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID连续达100 A）及优良热性能。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于服务器/通信设备中的同步整流、DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑）的主开关或续流器件，提升效率并降低温升； - 电机驱动：用于工业泵、风扇、电动工具等中小功率BLDC或有刷直流电机的H桥驱动单元，支持PWM高频控制； - 电源管理与负载开关：在服务器主板、工控板卡中作12V/24V电源轨的智能负载开关，配合过流/过热保护电路实现可靠上电控制； - LED照明驱动：作为恒流源开关或调光MOSFET，适用于高亮度LED路灯、商用照明模块； - 电池管理系统（BMS）：用于电动自行车、储能系统中的充放电回路保护开关（需搭配驱动与保护IC使用）。 该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证（部分批次），亦适用于对鲁棒性要求较高的工业及汽车后装场景。其逻辑电平兼容特性（4.5 V即可充分导通）便于直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN7R0-100ES,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6686pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7516-5 |
| 功率-最大值 | 269W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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