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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R8-40YS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R8-40YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R8-40YS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN5R8-40YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN5R8-40YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R8-40YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键特性:低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,使其适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PSMN5R8-40YS,115 可用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)以及电池管理系统(BMS)。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合需要高效能转换的设备。 2. 电机驱动 该 MOSFET 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其快速开关特性和低导通损耗,能够有效控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关 在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,该器件可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理。 4. 保护电路 它可以集成到过流保护、短路保护或反向电压保护电路中,提供可靠的安全保障,防止系统因异常情况受损。 5. 汽车电子 在汽车领域,PSMN5R8-40YS,115 可用于车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动以及辅助驾驶系统的电源管理部分,满足车规级应用对稳定性和可靠性的要求。 6. 工业自动化 该 MOSFET 还可用于工业控制中的继电器替代、信号隔离以及各种传感器接口电路,支持高效的信号传输与处理。 总之,PSMN5R8-40YS,115 凭借其优异的电气性能和紧凑的设计,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域,为现代电力电子技术提供了重要的基础支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 40V LFPAKMOSFET N-CHAN 40V 64A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R8-40YS,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN5R8-40YS,115 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 89 W |
Pd-功率耗散 | 89 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1703pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.7 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-5594-2 |
功率-最大值 | 89W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 5.7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,500 |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 90 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
配置 | Single |