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  • 型号: PSMN4R4-80BS,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R4-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R4-80BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R4-80BS,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R4-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R4-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN4R4-80BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装。其典型参数包括:VDS = 80 V、RDS(on) 典型值仅 4.4 mΩ(VGS = 10 V)、ID(连续)达 100 A(Tc = 25°C),具备低导通损耗与优异热性能。

该器件广泛应用于中高功率、高效率的开关场景,尤其适合空间受限且需强电流能力的设计。典型应用场景包括:  
- DC-DC 电源转换:如服务器/通信设备中的同步整流 Buck 转换器、POL(负载点)模块;  
- 电机驱动:无人机电调(ESC)、电动工具、风机/泵类 BLDC 或有刷电机的 H 桥上/下桥臂;  
- 电池管理系统(BMS):电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关;  
- 工业控制与照明:LED 驱动电源、PLC 输出级、固态继电器(SSR)等需要快速、可靠通断的场合;  
- 汽车电子(符合 AEC-Q101 认证):车载辅助系统如车窗升降、座椅调节、冷却风扇驱动等 12 V/24 V 低压直流负载控制。

其逻辑电平驱动特性(VGS(th) 低至 1.0–2.3 V,可被 3.3 V 或 5 V MCU 直接驱动)及低寄生电感封装,也使其适用于高频开关(如数百 kHz)应用,兼顾效率与 EMI 性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R4-80BS,118-

数据手册

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产品型号

PSMN4R4-80BS,118

Pd-PowerDissipation

306 W

Pd-功率耗散

306 W

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8400pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

125nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9493-1

功率-最大值

306W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

配置

Single

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