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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R0-60BS由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R0-60BS价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R0-60BS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN3R0-60BS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN3R0-60BS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R0-60BS 是 NXP USA Inc. 推出的一款专用功率 MOSFET(虽常被归类于分立器件,但在部分平台中因高度集成化设计或特定应用导向被划为“专用 IC”类别),实际为逻辑电平增强型 N 沟道屏蔽栅 MOSFET,非传统意义的集成电路。其关键参数:VDS = 60 V,RDS(on) 典型值仅 3.0 mΩ(VGS = 10 V),ID(连续)达 120 A(Tc = 25°C),采用 LFPAK56 封装,具备低导通损耗与优异热性能。 主要应用场景包括: 1. 高效率DC-DC转换器:如服务器/通信设备中的 POL(Point-of-Load)电源、CPU/GPU 供电模块(VRM),利用其超低 RDS(on) 提升能效; 2. 电动工具与电池供电设备:作为主开关用于无刷电机驱动的逆变桥臂,支持大电流脉冲与快速开关; 3. 工业电源与 UPS 系统:用于同步整流、电池保护电路(如智能BMS中的充放电主控开关)及热插拔控制; 4. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(该型号有车规版本),适用于车载照明驱动、ADAS电源管理等严苛环境。 需注意:该器件属功率分立器件,其“专用IC”分类可能源于平台归类偏差或配套驱动/保护功能集成方案。实际应用中需搭配门极驱动器及散热设计以发挥性能优势。