Datasheet下载- 型号： PSMN2R9-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R9-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R9-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R9-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R9-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R9-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R9-25YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.9 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID达120 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电池管理系统（BMS）：适用于电动工具、UPS及轻型电动车的电池保护电路（如充放电主回路开关、均衡开关），支持快速响应与低功耗控制。 ✅ 电机驱动：在BLDC无刷电机控制器中用作相桥臂功率开关，尤其适合中小功率（如风扇、泵、机器人关节驱动），兼顾开关速度与散热稳定性。 ✅ 负载开关与热插拔电路：凭借低RDS(on)和强抗雪崩能力，适用于服务器主板、工控板卡的电源轨动态上电管理，防止浪涌与反向电流。 ✅ LED照明驱动：用于高亮度LED恒流驱动的PWM调光开关，确保低发热与高可靠性。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU），内置ESD保护，符合AEC-Q101（部分批次）及RoHS标准，适用于对效率、尺寸与鲁棒性要求严苛的中高功率嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN2R9-25YLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2083pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.15 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6731-1 |
| 功率-最大值 | 92W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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