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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R0-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R0-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R0-30BL,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R0-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R0-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN2R0-30BL,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效能电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于对效率与可靠性要求较高的场合。 典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,用于提高转换效率并减小体积。 2. 负载开关:作为高速开关控制电源供应,常见于服务器、工业控制系统和消费电子产品。 3. 马达驱动:在电机控制电路中用作功率开关,实现对电机启停与转速的精确控制。 4. 电池管理系统:用于电动工具、电动车及储能系统中的充放电控制与保护。 5. LED照明:在高亮度LED驱动电路中作为开关元件,提升调光精度与能效。 6. 同步整流:在开关电源中替代传统二极管,降低损耗,提高整体效率。 其封装形式为LFPAK,具备良好的散热性能,适合表面贴装工艺,广泛应用于通信设备、汽车电子、工业自动化等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R0-30BL,118- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN2R0-30BL,118 |
Pd-PowerDissipation | 211 W |
Pd-功率耗散 | 211 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6810pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-9483-6 |
功率-最大值 | 211W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
配置 | Single |