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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN050-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN050-80PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN050-80PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN050-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN050-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN050-80PS,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅5.0 mΩ @ Vgs=10V,6.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=60A)及优异的热性能。其主要应用场景包括: • DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器,提升效率并降低温升; • 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制、风扇驱动及电动工具的H桥或半桥驱动级; • 负载开关与电源管理:在主板、嵌入式系统中作为高效、快速响应的电源通断开关(如USB端口保护、热插拔控制); • LED照明驱动:用于恒流调光电路及高可靠性LED驱动模块; • 电池管理系统(BMS):在便携设备或轻型储能系统中用作充放电路径保护开关。 该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),兼容3.3V/5V MCU直接控制,简化驱动设计;LFPAK封装具备低寄生电感和优良散热性,适合高密度PCB布局。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动(避免振荡)、配置续流路径(如搭配肖特基二极管或体二极管利用),并确保PCB铜箔面积充足以保障散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 22A TO220ABMOSFET N-CH 80V 50 mOhm Standard MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN050-80PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN050-80PS,127 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 56 W |
| Pd-功率耗散 | 56 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| 上升时间 | 1 ns |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 51 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4901-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |