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  • 型号: PSMN050-80PS,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN050-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN050-80PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN050-80PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN050-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN050-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN050-80PS,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅5.0 mΩ @ Vgs=10V,6.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=60A)及优异的热性能。其主要应用场景包括:

• DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器,提升效率并降低温升;  
• 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制、风扇驱动及电动工具的H桥或半桥驱动级;  
• 负载开关与电源管理:在主板、嵌入式系统中作为高效、快速响应的电源通断开关(如USB端口保护、热插拔控制);  
• LED照明驱动:用于恒流调光电路及高可靠性LED驱动模块;  
• 电池管理系统(BMS):在便携设备或轻型储能系统中用作充放电路径保护开关。

该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),兼容3.3V/5V MCU直接控制,简化驱动设计;LFPAK封装具备低寄生电感和优良散热性,适合高密度PCB布局。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动(避免振荡)、配置续流路径(如搭配肖特基二极管或体二极管利用),并确保PCB铜箔面积充足以保障散热。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 80V 22A TO220ABMOSFET N-CH 80V 50 mOhm Standard MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN050-80PS,127-

数据手册

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产品型号

PSMN050-80PS,127

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

56 W

Pd-功率耗散

56 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

上升时间

1 ns

下降时间

2.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

633pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

51 毫欧 @ 10A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-4901-5
934063909127

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

56W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

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