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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-30BL,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-30BL,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-30BL,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN017-30BL,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN017-30BL,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN017-30BL,118 是一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型 MOSFET,常用于高效率、高频率的功率转换应用。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,因其低导通电阻(Rds(on))和高电流能力,有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机控制:用于电机驱动器和电动工具中,作为开关元件,控制电机的启停和转速调节。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车辆或储能系统中,用于电池充放电控制,具备良好的热稳定性和过载能力。 4. 工业自动化:用于工业控制设备中的高边或低边开关,如PLC模块、继电器替代方案等。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、服务器电源模块等,适用于需要高效能和小型化设计的场合。 6. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载充电器、车身控制模块等汽车应用环境。 该MOSFET采用小型封装(如LFPAK),具备优良的热性能和可靠性,适合表面贴装,适用于自动化生产流程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN017-30BL,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 552pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9504-1 |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |