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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN014-60LS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN014-60LS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN014-60LS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN014-60LS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN014-60LS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN014-60LS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN014-60LS,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦半导体）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高功率处理能力。该器件主要应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于服务器、通信设备和工业电源模块。 2. 电机控制：用于电机驱动电路中，实现对直流电机或步进电机的高效控制。 3. 电池管理系统：在电池充放电管理电路中作为开关元件，用于保护和控制电流流向。 4. 汽车电子：如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等，符合汽车级工作温度要求。 5. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业逆变器和传感器供电系统中，提供高可靠性和效率。 该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热性能和电流承载能力，适合高频率和高效率的开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V QFN3333 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN014-60LS,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1264pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3333（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 568-5308-6 |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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