Datasheet下载- 型号： PMV30XN,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV30XN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV30XN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV30XN,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV30XN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV30XN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMV30XN,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于实现低功耗、高效率的电源通断控制； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（与主控 IC 配合），提升转换效率并减少发热； - 反向电压/极性保护电路：利用其体二极管方向和沟道特性，实现输入端防接反保护（如 USB 供电接口、充电模块）； - LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 或 OLED 显示模组中驱动 LED 背光，支持 PWM 调光； - 工业与物联网终端的低功耗开关：如传感器节点、无线模块（BLE/Wi-Fi）的外设供电使能控制，满足待机电流小、响应快的要求。 该器件工作电压范围为 −20 V（VDS），最大连续漏极电流达 −3.6 A（Ta = 25°C），具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ±2 kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低压（≤12 V）嵌入式系统应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMV30XN,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10833-1 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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