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  • 型号: PMR780SN115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMR780SN115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMR780SN115价格参考。NXP SemiconductorsPMR780SN115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMR780SN115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMR780SN115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMR780SN115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个),采用小型无引脚封装(如 LFPAK56,即 Power-SO8),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 11.5 mΩ @ Vgs = –4.5 V)、高开关效率及优良热性能。其典型应用场景包括:

• 负载开关(Load Switch):广泛用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)的电源管理模块中,实现对后级电路(如传感器、显示屏、无线模块)的快速启停控制,降低待机功耗。

• 电池保护与反向电流阻断:在锂电池供电系统中,用作充电路径或放电路径中的理想二极管替代器件(配合控制器),防止电池反向放电或充放电回路间的不期望电流倒灌。

• DC-DC 转换器同步整流:适用于降压(Buck)转换器的高边或低边开关(尤其适配低压输入场景,如 3.3 V/5 V 系统),提升转换效率并减小发热。

• LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的调光与开关控制,支持 PWM 高频驱动,响应快、损耗低。

• 工业与物联网终端:在智能电表、PLC 模块、传感器节点等空间受限、需高可靠性与低功耗的嵌入式系统中,承担电源域隔离与动态电源分配功能。

该器件支持 –20 V 至 –5.5 V 的逻辑兼容栅极驱动,具备内置 ESD 保护与雪崩耐受能力,适合自动化贴装与高密度 PCB 设计。
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