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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN40LN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN40LN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN40LN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN40LN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN40LN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN40LN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN40LN,135 是 NXP Semiconductors 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 40 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 3.6 nC）和额定电压 VDS = 40 V、连续漏极电流 ID = 4.5 A（Tamb = 25°C，典型值）。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路，得益于其逻辑电平驱动能力（可直接由 3.3 V 或 5 V MCU GPIO 控制，无需额外电平转换或驱动芯片）。 ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中用作高效整流开关，降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机控制与驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、玩具马达）的 H 桥或单路驱动，支持 PWM 调速。 ✅ 接口保护与热插拔电路：作为 USB 端口、I/O 线路的过流/反向电压保护开关，SOT-23 封装节省空间，适合高密度 PCB 设计。 该器件具备无铅、符合 RoHS 标准，且内置 ESD 保护（HBM > 2 kV），可靠性高；但需注意其功率耗散受限于小封装（建议合理布局散热焊盘并控制峰值电流与占空比）。综上，PMN40LN,135 主要面向空间受限、中低功率、需高效、易驱动的便携式及嵌入式系统电源开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN40LN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 555pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7422-1 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tsp） |
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