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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN28UN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN28UN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN28UN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN28UN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN28UN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN28UN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMN28UN,135是一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET（单个），采用SOT-457（SC-74）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85mΩ @ Vgs = -4.5V）、小尺寸、高可靠性及AEC-Q101认证（适用于汽车级应用）。其主要应用场景包括： - 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关、电池保护电路及反向电流阻断，支持低电压（1.8V–4.5V逻辑电平）驱动，可直接由MCU或基带处理器GPIO控制。 - LED驱动与背光控制：在小型显示屏、RGB LED灯组中作高效开关，实现PWM调光与快速关断。 - 汽车电子：凭借AEC-Q101认证，适用于车身控制模块（BCM）中的车窗升降、座椅调节、LED尾灯/仪表盘照明等低压直流负载开关。 - 工业与消费类IoT设备：用于传感器节点、无线模块（如BLE/Wi-Fi模组）的电源域隔离与按需上电控制，提升能效与待机功耗表现。 该器件具备ESD防护（HBM 2kV）、低栅极电荷（Qg=2.4nC）和快速开关特性（td(on)/td(off)约10ns/25ns），适合高频、空间受限且需高可靠性的中低功率（<2A连续漏极电流）开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN28UN,135 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7418-1 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Tc） |
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