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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN27UN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN27UN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN27UN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN27UN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN27UN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN27UN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN27UN,135 是恩智浦（NXP）出品的一款P沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-457（MiniSO-6）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为85 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、小尺寸、高开关效率等特点。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动的高端/低端控制，适用于空间受限且需低功耗的场合。 2. DC-DC转换器与同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适配P-MOS自驱型架构），提升转换效率；亦可用于LDO后级的电源路径控制。 3. 工业与消费类嵌入式系统：用于微控制器（如ARM Cortex-M系列）GPIO直接驱动的低电流负载开关（如传感器供电使能、通信模块上电复位控制），支持3.3 V/5 V逻辑电平兼容。 4. USB接口保护与热插拔控制：配合限流电路实现端口过流防护及软启动，防止浪涌电流冲击。 5. 电机驱动辅助电路：在小型直流电机或步进电机驱动板中，用作方向控制或待机断电开关（非主功率开关，因ID最大仅0.9 A连续）。 注意：该器件额定Vds = –20 V，ID = –0.9 A（TC=25℃），不适用于高压或大电流主功率场景，设计时需关注PCB散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN27UN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7417-1 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Tsp） |
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