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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMDPB70EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMDPB70EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDPB70EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDPB70EN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 LFPAK56 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 28 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=4.5A）及逻辑电平驱动特性。其典型应用场景包括： - 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的负载开关、电池保护电路及电源路径管理，支持高效启停控制与反向电流阻断。 - LED 驱动：在多路 LED 背光或指示灯系统中，作为低侧开关实现独立调光与快速开关控制。 - 电机控制：适用于小型直流有刷电机（如微型风扇、振动马达）的 H 桥驱动半桥或双路 PWM 控制，节省 PCB 空间并简化布局。 - 接口与信号切换：在 USB、I²C、GPIO 等数字信号路径中用作电平转换/隔离开关，提供低电容、低延迟的信号路由。 - 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、IoT 传感器节点、家电控制板中，承担继电器替代、电源域隔离及热插拔保护功能。 该器件集成双 MOSFET、具备 ESD 保护（HBM ±2kV）、无铅且符合 RoHS，适合高密度、低功耗、小尺寸设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFNMOSFET N-Chan 30V 4.5A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB70EN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDPB70EN,115 |
| Pd-PowerDissipation | 1165 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.165 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 3.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020（2x2） |
| 其它名称 | 568-10761-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | SOT-1118-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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