Datasheet下载- 型号： PH5330E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH5330E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH5330E,115价格参考。NXP SemiconductorsPH5330E,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH5330E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH5330E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH5330E,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-666 封装（尺寸仅 2.0 × 2.0 × 0.9 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 33 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.3 nC）和快速开关特性。其额定电压为 30 V，连续漏极电流达 4.5 A（Tamb = 25°C），适合中低功率、高密度、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC 转换器同步整流——在降压（Buck）转换器中作为高效同步整流管，提升转换效率并降低温升； ✅ 工业与消费类控制电路——用于 MCU 或 FPGA 的 GPIO 直接驱动的低功耗负载切换，如传感器供电使能、小功率继电器/电磁阀驱动； ✅ USB Type-C 和 PD 接口保护——配合保护 IC 实现过流/反向电流防护； ✅ LED 照明调光控制——支持 PWM 调光，响应快、无机械触点损耗。 该器件具备逻辑电平兼容性（VGS(th) 低至 1.0–2.2 V），可被 1.8 V / 3.3 V MCU 直接驱动，无需额外电平转换；SOT-666 封装支持高密度贴装与良好热传导，适用于紧凑型 PCB 设计。不适用于高压、大电流（如电机主驱）或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH5330E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2348-6 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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