Datasheet下载- 型号： PH1955L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH1955L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH1955L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH1955L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH1955L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH1955L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH1955L,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型 SOT-23 表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）及快速开关特性。其额定电压为60 V，连续漏极电流达380 mA（Tamb=25°C），适合低压、小功率、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、USB接口负载开关或电池保护电路中的充放电控制开关； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中作为高效续流开关，提升能效并减小发热； ✅ 低功耗微控制器（MCU）I/O口驱动扩展：用于驱动小型继电器、蜂鸣器、RGB LED或传感器模块等弱电流负载，逻辑电平兼容性好（VGS(th)低至1.0–2.3 V），可直接由3.3 V或5 V MCU GPIO驱动； ✅ 工业与消费类IoT节点：在空间受限的传感器节点、无线模块（如BLE/Wi-Fi）电源时序控制或外设使能电路中实现紧凑可靠的开关功能。 该器件具备ESD防护（HBM ≥ 2 kV），工作结温范围为−55°C 至 +150°C，适用于对尺寸、功耗和可靠性要求较高的嵌入式系统。注意：不适用于大电流或高频硬开关主功率路径，需结合散热与驱动能力合理选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH1955L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1992pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2174-6 |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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