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  • 型号: PEMT1,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PEMT1,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMT1,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMT1,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMT1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMT1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PEMT1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 PNP 型小信号双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-323(SC-70)超小型表面贴装封装,具有低功耗、高增益(hFE 典型值 250@Ic=10mA)、快速开关特性(tf < 10 ns)及良好的热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备中的信号放大与开关控制:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的麦克风前置放大、LED驱动、传感器接口电路等;  
✅ 电源管理辅助电路:用于低压差稳压器(LDO)使能控制、电池电压检测、充电状态指示等低电流开关功能;  
✅ 逻辑电平转换与接口缓冲:在不同电压域(如1.8V/3.3V MCU与外围器件间)实现电平适配或反相驱动;  
✅ 模拟前端(AFE)中的偏置与电流镜电路:适用于高精度、低功耗传感系统(如环境光、温度传感器信号调理);  
✅ 消费类遥控器、IoT节点等对尺寸和功耗敏感的嵌入式应用:凭借SOT-323封装(尺寸仅2.0×2.1×0.9 mm)和低ICBO(≤10 nA),支持高密度PCB布局与长期待机设计。

该器件不适用于大功率放大或高频射频主通路,但凭借NXP在车规与工业级工艺上的可靠性(符合AEC-Q200 Grade 3标准),亦可用于非严苛车载信息娱乐子模块或工业传感器节点。综合而言,PEMT1,115 是面向微型化、低功耗、中速数字/模拟混合信号应用的理想通用PNP BJT解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 40V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMT1,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PEMT1,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

934056707115
PEMT1 T/R
PEMT1 T/R-ND

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 200 mA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 1 mA at 6 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

- 100 mA

零件号别名

PEMT1 T/R

频率-跃迁

100MHz

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