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- 型号： PEMH14,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH14,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH14,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH14,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMH14,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH14,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PEMH14,115是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10 kΩ、R2=4.7 kΩ），采用SOT-666封装（6引脚，超小型表面贴装），包含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DDT）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与信号缓冲：适用于微控制器（如STM32、ESP32）I/O口驱动能力不足时，将3.3 V/5 V逻辑信号可靠放大，驱动中等负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极）。 2. LED驱动与指示电路：集成基极限流电阻，简化PCB设计，常用于消费电子（电视遥控器、智能音箱）的状态指示灯控制，支持直接由MCU GPIO驱动，无需外置偏置电阻。 3. 开关电源与负载切换：在DC-DC模块或电池供电设备中，用作低功耗负载开关（如背光控制、传感器供电使能），具备快速开关特性（fT≈150 MHz）和低饱和压降（VCE(sat)典型值0.1 V @ IC=10 mA）。 4. 工业I/O接口保护：配合TVS或RC滤波，用于PLC输入端子或传感器信号调理，提供电平适配与电气隔离（非隔离，但增强抗干扰能力）。 5. 空间受限便携设备：SOT-666封装尺寸仅2.1×1.8×0.9 mm，广泛应用于TWS耳机、可穿戴设备、物联网模组等对体积与BOM精简要求严苛的产品中。 该器件符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦适用于工业级温度范围（−55°C 至 +150°C），具备高可靠性与ESD防护（HBM ±8 kV），是替代分立BJT+电阻方案的高集成度优选。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH14,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058927115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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