Datasheet下载- 型号： PEMB4,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB4,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB4,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB4,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB4,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB4,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB4,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R₁）和基极-集电极反馈电阻（R₂），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA 或逻辑IC输出端，驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，简化电路设计并提升开关可靠性。 - LED驱动与指示电路：因具备稳定电流控制能力及低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA），适用于多路LED状态指示、面板背光控制等低功耗场景。 - 信号切换与负载开关：在便携式设备（如智能手机、可穿戴设备）中，用作低侧开关，控制传感器模块、通信接口（如I²C上拉/使能）的供电通断，降低待机功耗。 - 工业与汽车电子中的基础开关功能：符合AEC-Q101标准（注：需查证具体批次是否通过；PEMB4系列部分型号支持车规），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中的小型负载控制。 该器件采用SOT-666封装（尺寸小、散热适中），支持高密度贴装；内置电阻匹配性好，提升通道一致性，减少BOM元件数与PCB面积。典型工作电压范围为5–15 V，适合3.3 V/5 V数字系统直接驱动，无需额外基极电阻，显著提升设计效率与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB4,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056865115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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