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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB2,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB2,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB2,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个匹配的 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10 kΩ,R₂=10 kΩ),实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如ARM、MCU)GPIO 与继电器、LED、小功率MOSFET等负载之间的信号缓冲与驱动,简化电路、节省PCB空间。 2. 开关电源中的辅助控制电路:在AC-DC或DC-DC转换器中,用作反馈光耦驱动、使能(EN)信号调理、过压/过流保护检测的输入级开关。 3. 工业I/O模块与PLC输入端口:作为24V工业信号(如NPN型传感器输出)的电平适配与反相/非反相切换单元,提高抗干扰能力与响应一致性。 4. 消费电子待机控制与电源管理:在TV、机顶盒等设备中,用于主电源与待机电源之间的自动切换控制,利用其低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA)提升能效。 5. 汽车电子基础应用:适用于车身控制模块(BCM)中非安全相关的低压开关功能(如车窗升降指示灯、阅读灯控制),符合AEC-Q101基础可靠性要求(注:PEMB2,115为标准工业级,具体车规应用需确认批次认证)。 该器件采用SOT-363(SC-70-6)超小型封装,支持高密度贴装;具备优良的温度稳定性与器件匹配性,显著降低设计复杂度与BOM成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMB2,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056523115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |