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- 型号： PEB4264-0TV1.1GD
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEB4264-0TV1.1GD由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEB4264-0TV1.1GD价格参考。InfineonPEB4264-0TV1.1GD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEB4264-0TV1.1GD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEB4264-0TV1.1GD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEB4264-0TV1.1GD 是英飞凌（Infineon）推出的高性能双通道高压半桥驱动IC，属于“接口—电信”类器件。其典型应用场景聚焦于通信基础设施中的高可靠性电源与功率控制环节，尤其适用于： 1. 5G基站电源系统：驱动GaN/SiC MOSFET或IGBT，用于DC-DC砖式电源、POL（负载点）转换器及热插拔电路，满足电信设备对高效率（>95%）、快速动态响应和低EMI的严苛要求； 2. 光传输设备（OTN/PTN）供电模块：为激光驱动器、时钟恢复电路等敏感模拟前端提供精准可控的栅极驱动，支持1.1GHz级高频开关（得益于1.1ns典型传播延迟与25V/ns高dV/dt抗扰度）； 3. 电信整流器与UPS系统：在图腾柱PFC或LLC谐振拓扑中实现零电压开关（ZVS）优化，提升能效并降低温升，符合NEBS/ETSI等电信级安规认证要求。 该芯片集成欠压锁定（UVLO）、交叉导通抑制、死区时间可调及故障反馈功能，支持-40℃~125℃工业级宽温运行，具备高共模瞬态抗扰度（>50V/ns），确保在强电磁干扰的机房环境中长期稳定工作。 （注：品牌“-”应为Infineon，型号中“TV1.1GD”标识其为1.1ns传播延迟、绿色封装、无卤素版本。）
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