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  • 型号: PDTC144WU,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC144WU,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC144WU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC144WU,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTC144WU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC144WU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC144WU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 22 kΩ,R₂ = 47 kΩ),采用 SOT-323(SC-70)小型表面贴装封装。其主要应用场景包括:

1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:常用于微控制器(如 ARM、AVR、PIC)I/O 口直接驱动 LED、小功率继电器、蜂鸣器或 MOSFET 栅极,无需外置偏置电阻,简化 PCB 设计并提升可靠性。

2. 低功耗开关应用:适用于便携式设备(如智能手机、可穿戴设备、IoT 传感器节点)中的负载开关,支持典型 100 mA 集电极电流(IC),具备低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IB = 1 mA),提高能效。

3. 反相器/缓冲器电路:利用其内置反馈电阻实现稳定开关特性,广泛用于板级信号整形、噪声抑制及开漏输出扩展。

4. 汽车电子辅助电路:符合 AEC-Q101 认证(注:需确认具体批次是否通过;标准 PDTC144WU,115 为工业级,部分变体支持车规),可用于车身控制模块(BCM)中非安全关键的灯光控制、风扇调速等。

该器件工作温度范围为 −65 °C 至 +150 °C,ESD 防护达 8 kV(HBM),适合高密度、低成本、快速开发的消费类及工业控制场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC144WU,115-

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产品型号

PDTC144WU,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934054828115
PDTC144WU T/R
PDTC144WU T/R-ND

典型电阻器比率

2.13

典型输入电阻器

47 kOhms

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

22k

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC144WU T/R

频率-跃迁

-

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