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  • 型号: PDTC114TE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114TE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114TE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114TE,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTC114TE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTC114TE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PDTC114TE,115 是 NXP(恩智浦)推出的 NPN 型数字晶体管(即带内置偏置电阻的预偏置 BJT),集成 10 kΩ 上拉电阻(R1)和 10 kΩ 下拉电阻(R2),具备 1:1 的电阻比,典型电流增益(hFE)约 160(IC = 10 mA),最大连续集电极电流 IC = 100 mA,VCEO = 50 V。

其典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动:如微控制器(MCU)GPIO 直接驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗指示灯,无需外置基极电阻,简化 PCB 设计;  
✅ 开关控制电路:在消费电子(如电视遥控接收模块、机顶盒状态指示)、家电(洗衣机水位检测信号调理、风扇调速反馈开关)中用作高速通断开关(开关频率可达数十 MHz);  
✅ 输入信号整形与缓冲:配合上拉/下拉需求,用于按键消抖、复位信号调理或开漏输出(OD)总线(如 I²C)的电平适配;  
✅ 替代传统分立 BJT+电阻方案:提升生产良率与装配效率,在空间受限的便携设备(TWS 充电仓、智能手环主板)中广泛应用。

该器件采用 SOT-23 小型封装,支持无铅回流焊,符合 AEC-Q200(部分批次)及工业级可靠性要求,适用于商用及轻工业环境。注意:不适用于线性放大或大功率开关场景(如电机驱动主回路)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114TE,115-

数据手册

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产品型号

PDTC114TE,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SC-75

其它名称

568-11055-6

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

150mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-75,SOT-416

封装/箱体

SOT-416-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PDTC114TE T/R

频率-跃迁

-

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