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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA143EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA143EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA143EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA143EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA143EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA143EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA143EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（Digital Transistor, DTR），内部集成基极-发射极电阻（R1=4.7 kΩ）和基极-集电极电阻（R2=47 kΩ），采用 SOT-883（0.5 mm pitch）超小型封装。虽常归类于“BJT-单个”，但其本质为带内置偏置电阻的PNP型开关晶体管（VCEO = -50 V，IC = -100 mA，hFE典型值160）。 主要应用场景包括： ✅ 低功耗逻辑电平转换与信号切换：兼容1.8 V/3.3 V/5 V MCU GPIO，直接驱动LED、小功率继电器或MOSFET栅极； ✅ 便携式电子设备中的空间敏感设计：如TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点等，得益于SOT-883超小尺寸（1.0 × 0.6 × 0.5 mm）和低寄生参数； ✅ 电池供电设备的负载开关：作为高边开关控制外围模块（如传感器、RF模块）电源通断，降低静态电流（IB典型仅几微安）； ✅ 简易反相器/缓冲器电路：无需外接偏置电阻，简化PCB布局，提升生产良率与可靠性。 注意：该器件不适用于线性放大或高频射频场景，其设计核心是高集成度、低功耗、易用性，面向消费电子及可穿戴设备中的数字开关需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 100MA 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065924315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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