Datasheet下载- 型号： PDTA124TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA124TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA124TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA124TU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA124TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA124TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA124TU,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极电阻（R₁=220 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=220 kΩ），形成典型的“带阻三极管”（Digital Transistor）结构。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO口直接驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，无需外置偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。 2. 开关应用：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作低功耗负载开关，支持最大Ic=100 mA、Vceo=50 V，具备快速开关特性（tf < 10 ns）。 3. 信号调理与接口电路：用于传感器信号的电平整形、脉冲整形、反相缓冲等，尤其适合空间受限的消费类电子。 4. 电池供电设备：因内置偏置电阻优化了输入电流控制，可降低待机功耗，延长电池寿命。 该器件采用超小型SOT-323（SC-70）封装，尺寸仅2.2 × 2.2 × 0.95 mm，符合RoHS标准，广泛应用于高密度、低成本、低功耗的便携式及IoT终端产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA124TU,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-2123-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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