Datasheet下载- 型号： PDTA123TU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123TU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123TU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123TU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA123TU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA123TU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA123TU,115是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=2.2kΩ）和基极-集电极电阻（R2=47kΩ），采用SOT323（SC-70）小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器GPIO直接驱动LED、小功率继电器或逻辑门输入，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； - 负载开关与电源管理：在便携设备中作为低功耗高边/低边开关，控制外围模块（如传感器、指示灯）的供电通断； - 信号反相与缓冲：利用其内置电阻网络实现简单反相器功能，适用于低速数字信号调理（如按键消抖、状态指示）； - 电池供电设备：得益于低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1V @ IC=10mA）和低待机电流（IB由R1/R2精确设定），可延长IoT终端、遥控器、可穿戴设备等的电池寿命； - 空间受限场景：SOT323封装（尺寸约2.0×2.1×0.9mm）适合高密度布局的消费电子主板。 该器件符合AEC-Q101车规标准，亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号控制。注意其最大集电极电流为100mA，不适用于大功率开关或模拟放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA123TU,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934059937115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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