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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA115EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115EMB,315价格参考￥0.27-￥2.58。NXP SemiconductorsPDTA115EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA115EMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置100kΩ上拉电阻和100kΩ发射极-基极下拉电阻（R1 = R2 = 100 kΩ），具有内置偏置网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如GPIO）直接驱动LED、小型继电器或低功耗负载，无需外接偏置电阻； - 开关应用：在便携式设备（如TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点）中作为高效、紧凑的负载开关，控制电源通断或信号通路； - 反相器/缓冲器电路：利用其PNP结构实现信号反相，常用于电池供电系统中的低功耗状态切换； - 过流保护与检测辅助电路：配合电流检测电阻，构成简易限流开关； - 汽车电子子模块：满足AEC-Q101认证（该型号为车规级），适用于车身控制模块（BCM）、座椅/灯光控制等对可靠性与空间要求严苛的场景。 该器件采用超小型SOT883（0.8×0.6×0.5 mm）封装，具备低饱和压降（VCE(sat) ≈ 100 mV @ IC=10 mA）、高直流电流增益（hFE ≥ 160），支持-55℃~+150℃宽温工作，兼顾低功耗与高集成度需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA115EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065934315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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