Datasheet下载- 型号： PBSS8110T,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110T,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS8110T,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS8110T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS8110T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS8110T,215 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 250@Ic=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 140mV@Ic=100mA）及良好开关特性。其主要应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：广泛用于消费电子、工业控制中的负载开关（如LED驱动、继电器/蜂鸣器驱动、小型电机控制）； 2. 信号放大与电平转换：适用于低频小信号放大、逻辑电平匹配（如MCU GPIO驱动能力扩展）； 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器、LDO稳压器中作使能控制、过流检测或基准偏置； 4. 便携式设备：因SOT-23封装尺寸小、功耗低，常见于智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点等空间受限场景； 5. 汽车电子二级应用：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过认证），可用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键开关功能。 该器件工作结温范围宽（–65°C 至 +150°C），具备良好热稳定性，适合在紧凑、中低功耗系统中替代传统通用晶体管（如BC817系列），兼顾性能与成本优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A SOT23两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110T,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS8110T,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4344-6 |
| 功率-最大值 | 480mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 480 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 0.5 A at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 零件号别名 | PBSS8110T T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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