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PBSS5580PA,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5580PA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5580PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5580PA,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 4A 110MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON(2x2)。您可以下载PBSS5580PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5580PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PBSS5580PA,115 是一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管。其主要特点是高电流、高增益和低饱和电压,适用于需要高效功率控制的场景。 该器件常用于以下应用场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电源稳压电路,适用于需要高效能和小尺寸封装的电源系统。 2. 电机驱动:用于小型电机或继电器的开关控制,适用于工业自动化、家电和电动工具等领域。 3. 照明系统:作为LED驱动电路中的开关元件,尤其适用于高亮度LED或汽车照明应用。 4. 汽车电子:因其可靠性和耐高温能力,广泛应用于汽车中的电子控制单元(ECU)、车灯控制、风扇驱动等场景。 5. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、电源适配器等,用于功率开关和信号放大功能。 PBSS5580PA,115采用SOT78(TO-220)封装,具有良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用。同时,其高电流容量(Ic可达10A)和优良的导通性能使其在多种功率开关场合中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 80V 4A SOT1061 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PBSS5580PA,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 420mV @ 200mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 2A,2V |
供应商器件封装 | 3-HUSON |
其它名称 | 568-6418-6 |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
频率-跃迁 | 110MHz |