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Datasheet下载- 型号： PBSS5580PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS5580PA,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5580PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5580PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5580PA,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 4A 110MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON（2x2）。您可以下载PBSS5580PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5580PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5580PA,115 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT1215 小型表面贴装封装，具备高增益（hFE 典型值达 300@Ic=500mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 130mV@Ic=500mA）及高集电极电流能力（IC max = 800mA）。其主要应用场景包括： - 中小功率开关电路：广泛用于消费电子、工业控制中的DC-DC转换器、LED驱动、继电器/电磁阀驱动等，凭借低饱和压降提升能效； - 线性稳压与电源管理：在LDO后级调整管或负载开关中实现快速响应与低功耗控制； - 信号放大与接口电路：适用于低频信号放大、逻辑电平转换（如MCU GPIO驱动较高负载）、传感器信号调理等； - 汽车电子（AEC-Q101认证）：可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇驱动等对可靠性要求较高的12V车载系统； - 便携式设备：得益于小型化封装（0.75mm超薄）和高功率密度，适用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等空间受限产品中的电源与信号路径。 该器件支持无铅回流焊，具有良好的热性能与ESD防护能力，兼顾性能、尺寸与可靠性，是替代传统SOT23/SOT323封装BJT的优选方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 80V 4A SOT1061 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS5580PA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 420mV @ 200mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6418-6 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 110MHz |
