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  • 型号: PBSS5580PA,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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  • 要求:
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PBSS5580PA,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5580PA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5580PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5580PA,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 4A 110MHz 2.1W 表面贴装 3-HUSON(2x2)。您可以下载PBSS5580PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5580PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PBSS5580PA,115 是一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管。其主要特点是高电流、高增益和低饱和电压,适用于需要高效功率控制的场景。

该器件常用于以下应用场景:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电源稳压电路,适用于需要高效能和小尺寸封装的电源系统。

2. 电机驱动:用于小型电机或继电器的开关控制,适用于工业自动化、家电和电动工具等领域。

3. 照明系统:作为LED驱动电路中的开关元件,尤其适用于高亮度LED或汽车照明应用。

4. 汽车电子:因其可靠性和耐高温能力,广泛应用于汽车中的电子控制单元(ECU)、车灯控制、风扇驱动等场景。

5. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、电源适配器等,用于功率开关和信号放大功能。

PBSS5580PA,115采用SOT78(TO-220)封装,具有良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用。同时,其高电流容量(Ic可达10A)和优良的导通性能使其在多种功率开关场合中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 80V 4A SOT1061

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS5580PA,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

420mV @ 200mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

140 @ 2A,2V

供应商器件封装

3-HUSON

其它名称

568-6418-6

功率-最大值

2.1W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-PowerUDFN

晶体管类型

PNP

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

110MHz

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