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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMSD1819A-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMSD1819A-RT1G价格参考。ON SemiconductorSMSD1819A-RT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMSD1819A-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMSD1819A-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SMSD1819A-RT1G是一款表面贴装的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频、低功率信号放大与开关应用。其典型应用场景包括便携式电子设备中的射频(RF)信号放大、小信号放大电路、逻辑驱动开关以及各类消费类电子产品中的电源管理与控制电路。 该器件具有高增益和优异的高频响应特性,适合用于移动通信设备(如智能手机、无线模块)、无线局域网(WLAN)、蓝牙模块和物联网(IoT)设备中的射频前端或小信号处理环节。由于采用小型SOT-23封装,SMSD1819A-RT1G非常适合空间受限的高密度PCB设计,广泛应用于需要微型化和高性能的场合。 此外,该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性,可在较宽温度范围内稳定工作,适用于工业控制、汽车电子传感器信号调理等环境条件较严苛的应用场景。总体而言,SMSD1819A-RT1G是一款适用于高频、低噪声、小信号处理的通用高频晶体管,特别适合现代通信与便携式电子产品的关键信号放大与切换功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS GP NPN 50V SC70-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMSD1819A-RT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 210 @ 2mA,10V |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
频率-跃迁 | - |