Datasheet下载- 型号： 2N5088TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5088TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5088TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5088TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5088TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5088TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5088TF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于各种电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 放大器应用 - 音频放大器：2N5088TF 常用于低功率音频放大器中，作为信号放大元件。它能够将微弱的音频信号放大到适合驱动扬声器或其他音频设备的水平。 - 射频（RF）放大器：由于其高频特性，2N5088TF 可用于射频信号的放大，适用于通信设备、无线模块等。 2. 开关电路 - 数字逻辑开关：在需要快速切换的电路中，2N5088TF 可用作开关元件，控制电流的通断。例如，在继电器驱动、LED 控制或小型电机驱动中。 - 脉宽调制（PWM）电路：在 PWM 应用中，2N5088TF 可以实现对负载（如 LED 或电机）的精确控制。 3. 振荡器和信号生成 - LC 振荡器：利用其高频特性和增益性能，2N5088TF 可构建 LC 振荡器，生成稳定的高频信号。 - 多谐振荡器：在无稳态多谐振荡器电路中，2N5088TF 可用于生成方波信号，适用于时钟信号生成或脉冲发生器。 4. 传感器信号调理 - 信号放大：在传感器应用中，2N5088TF 能够将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的水平。 - 温度补偿电路：结合其他元件，2N5088TF 可用于温度补偿电路，确保系统在不同温度下的稳定运行。 5. 电源管理 - 恒流源/恒压源：通过适当的外围电路设计，2N5088TF 可用于构建恒流源或恒压源，为特定负载提供稳定的电流或电压。 - 过流保护：在电源电路中，2N5088TF 可用作过流保护元件，检测并限制异常电流。 6. 教育和实验用途 - 由于其典型参数易于理解且价格低廉，2N5088TF 常被用于教学实验和电子爱好者项目中，帮助学习 BJT 的基本工作原理和应用。 参数特点 2N5088TF 具有较高的增益（hFE）、良好的频率响应以及较低的噪声特性，非常适合用于低功率、高增益的应用场景。同时，其封装形式紧凑，便于集成到各种电路中。 总之，2N5088TF 是一款通用性强、性能可靠的双极型晶体管，适用于从信号放大到开关控制的多种电子应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5088TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5088TF |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 100µA， 5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N5088TFDKR |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 240 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 4.5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 900 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | 2N5088 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 35 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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