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  • 型号: PBSS5330PA,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5330PA,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5330PA,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5330PA,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS5330PA,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5330PA,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PBSS5330PA,135 是一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,具有高电流、高增益和低饱和电压的特点。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。

典型应用场景包括:

1. 电源管理与开关应用:适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等,其低饱和电压有助于提高能效,减少发热。

2. 电机驱动与继电器控制:适合用于控制小型电机、继电器或电磁阀,能承受较高的开关电流,适用于工业自动化和汽车电子系统。

3. 汽车电子系统:由于其良好的热稳定性和可靠性,常用于汽车中的灯光控制、传感器驱动、执行器控制等场景。

4. 功率放大器:适用于音频或射频功率放大电路中,作为前级驱动或输出级使用。

5. 工业控制与自动化:用于PLC、变频器、伺服控制系统等工业设备中,实现信号放大与功率控制。

PBSS5330PA,135采用SOT78(TO-220)封装,散热性能良好,适合高功率应用场景,是工业与汽车电子设计中的常用器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 30V 3A HUSON3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS5330PA,135

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

320mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 3A,2V

供应商器件封装

3-HUSON

其它名称

568-10523-6

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

3-PowerUDFN

晶体管类型

PNP

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

165MHz

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