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产品简介:
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PBSS5140U,135 是 NXP USA Inc. 推出的 PNP 型小信号双极结型晶体管(BJT),采用超小型 SOT323(SC-70)封装,具有高增益(hFE 典型值 250@Ic=10mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 100mV@Ic=10mA, Ib=1mA)和高开关速度(fT ≈ 120MHz)等特性。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备中的负载开关与电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于控制LED背光、传感器供电或外设电源通断; 2. 逻辑电平转换与接口驱动:在MCU(如ARM Cortex-M系列)GPIO驱动能力不足时,用作电平反相/增强驱动,驱动继电器、小功率LED或蜂鸣器; 3. 模拟信号处理中的简单放大与检测电路:适用于低功耗、小信号前置放大、电流检测反馈环路中的有源负载或电流镜单元; 4. 电池供电系统的低功耗待机控制:凭借低ICEO(≤10nA)和微安级基极驱动需求,适合长期休眠状态下的唤醒信号调理。 该器件强调高可靠性、AEC-Q101兼容性(部分批次),亦常见于工业IoT节点、汽车电子(如车身控制模块中的非安全相关子功能)及消费类电源适配器的辅助电路中。其微型封装与低热阻特性,特别适配高密度PCB布局需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 40V 1A SOT323两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5140U,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5140U,135 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-7307-1 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 1 mA at 5 V, 300 at 100 mA at 5 V, 250 at 500 mA at 5 V, 160 at 1 A at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | /T3 PBSS5140U |
| 频率-跃迁 | 150MHz |