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产品简介:
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PBSS4032ND,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用小型 SOT-883(0.65 mm × 0.65 mm)超微型封装,具备高电流增益(hFE:200–450 @ IC = 50 mA)、低饱和压降(VCE(sat) 典型值仅 0.14 V @ IC = 100 mA, IB = 10 mA)及32 V 集电极-发射极击穿电压(VCEO)。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备中的负载开关:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED、振动马达、小功率传感器等低功耗外设,凭借低饱和压降与微小尺寸,节省PCB空间并提升能效。 2. 电池供电系统的电源管理:用于电池电压检测电路、充电路径控制或反向电流阻断,支持低压工作(VBE(on) ≈ 0.75 V),适配锂电(2.8–4.2 V)系统。 3. 逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU GPIO驱动能力不足时,作电平移位或电流放大,兼容1.8 V/3.3 V逻辑接口。 4. 汽车电子辅助模块:满足AEC-Q101认证(该型号为车规级),适用于车载LED指示灯、风扇控制、车身控制模块(BCM)中的非安全关键开关功能。 需注意:不适用于高频放大或大功率开关场景(fT ≈ 100 MHz,Ptot = 350 mW),设计时应关注热管理与静电防护(HBM ESD ≥ 2 kV)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS4032ND,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 400mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 2A,2V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-5073-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 135MHz |