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  • 型号: PBSS4032ND,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032ND,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032ND,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032ND,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4032ND,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4032ND,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS4032ND,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用小型 SOT-883(0.65 mm × 0.65 mm)超微型封装,具备高电流增益(hFE:200–450 @ IC = 50 mA)、低饱和压降(VCE(sat) 典型值仅 0.14 V @ IC = 100 mA, IB = 10 mA)及32 V 集电极-发射极击穿电压(VCEO)。其主要应用场景包括:

1. 便携式电子设备中的负载开关:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED、振动马达、小功率传感器等低功耗外设,凭借低饱和压降与微小尺寸,节省PCB空间并提升能效。

2. 电池供电系统的电源管理:用于电池电压检测电路、充电路径控制或反向电流阻断,支持低压工作(VBE(on) ≈ 0.75 V),适配锂电(2.8–4.2 V)系统。

3. 逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU GPIO驱动能力不足时,作电平移位或电流放大,兼容1.8 V/3.3 V逻辑接口。

4. 汽车电子辅助模块:满足AEC-Q101认证(该型号为车规级),适用于车载LED指示灯、风扇控制、车身控制模块(BCM)中的非安全关键开关功能。

需注意:不适用于高频放大或大功率开关场景(fT ≈ 100 MHz,Ptot = 350 mW),设计时应关注热管理与静电防护(HBM ESD ≥ 2 kV)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 30V 3.5A 6TSOP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS4032ND,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 400mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 2A,2V

产品目录页面

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供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

568-5073-6

功率-最大值

1W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74,SOT-457

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3.5A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

135MHz

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