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  • 型号: PBSS304PZ,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS304PZ,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS304PZ,135价格参考。NXP SemiconductorsPBSS304PZ,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS304PZ,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS304PZ,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS304PZ,135 是 NXP USA Inc. 推出的 PNP 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有低饱和电压(VCE(sat) ≈ 130 mV @ IC=500 mA)、高电流增益(hFE 典型值 200–450)及 500 mA 连续集电极电流能力,适用于中低功率开关与线性放大场景。

典型应用场景包括:  
✅ 电源管理:在便携设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中用作负载开关、LED 驱动或电池保护电路中的控制开关;  
✅ 信号切换与电平转换:在 MCU 或 FPGA 的 GPIO 扩展接口中,驱动继电器、小型电磁阀或逻辑电平转换(如 1.8 V/3.3 V 系统驱动 5 V 负载);  
✅ 模拟电路:作为恒流源、电流镜或低噪声前置放大器中的有源负载(需注意其 fT≈100 MHz,适合音频及中频应用);  
✅ 工业控制:在 PLC 模块、传感器接口板中用于隔离式输入信号调理或小功率执行器(如蜂鸣器、指示灯)驱动。

该器件具备 AEC-Q101 认证(汽车级可靠性),亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度稳定性与长期可靠性要求较高的场合。其小型化封装和低功耗特性,特别适配空间受限、能效敏感的现代电子设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 60V 4.5A SOT-223两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS304PZ,135-

数据手册

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产品型号

PBSS304PZ,135

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

375mV @ 225mA,4.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 2A,2V

产品种类

Transceivers

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-7279-2
934059052135
PBSS304PZ /T3
PBSS304PZ /T3-ND
PBSS304PZ,135-ND
PBSS304PZ135

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

130 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73

工厂包装数量

4000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4.5 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4.5A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 0.5 A at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 0.5 A at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V, 120 at 4 A at 2 V, 60 at 6 A at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

/T3 PBSS304PZ

频率-跃迁

130MHz

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