Datasheet下载- 型号： PBLS4001V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4001V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4001V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4001V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS4001V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4001V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4001V,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。该器件采用 SOT666 小型表面贴装封装，具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 其典型应用场景包括： • 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如 ARM、PIC、ESP32）GPIO 引脚驱动 LED、小型继电器或光耦输入端，简化电路设计； • 负载开关与信号切换：在便携式设备（如智能穿戴、IoT 传感器节点）中作为低侧开关，控制电源通断或信号通路； • 多路信号缓冲/反相器阵列：利用双通道结构实现同步信号整形、电平翻转或并行驱动（如驱动段式 LCD 背光控制或按键扫描电路）； • 电池供电设备中的省空间方案：因集成偏置电阻，显著减少 PCB 面积与 BOM 元器件数量，适用于空间受限的消费电子与工业控制模块。 该器件工作电压范围宽（VCEO = 50 V），最大连续集电极电流达 100 mA，支持 -65°C 至 +150°C 工作温度，符合 AEC-Q100（Grade 1）汽车级可靠性标准，亦适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号调理环节。 综上，PBLS4001V,115 主要面向需高集成度、小尺寸、低成本及可靠开关功能的中低功率通用模拟/数字混合应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS4001V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 350mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7234-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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