Datasheet下载- 型号： PBLS1503Y,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS1503Y,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS1503Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS1503Y,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS1503Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS1503Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS1503Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：适用于微控制器（如 ARM、AVR、PIC）GPIO 输出端，直接驱动 LED、小型继电器或低功耗逻辑电路，简化外围电路并提升响应速度。 - LED 驱动与指示电路：常用于消费电子、工业面板、家电设备中的多路 LED 控制，支持灌电流/拉电流模式，具备良好开关特性和热稳定性。 - 信号切换与多路复用：在通信模块、传感器接口板中用作高速开关，实现模拟/数字信号通断控制（如音频路径选择、I²C 总线缓冲）。 - 电源管理辅助电路：用于低压检测、使能控制（EN/SS 引脚驱动）、LDO 或 DC-DC 转换器的软启动/关断逻辑。 该器件采用 SOT-363（SC-70-6）超小型封装，支持高密度贴装；具备 ±500 mA 峰值输出能力、VCEO=50 V、hFE = 160–450（典型），兼具低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）与快速开关特性（tON/tOFF < 5 ns），适用于空间受限、成本敏感且需高可靠性的便携式及嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS1503Y,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7222-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
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