Datasheet下载- 型号： PBLS1503V,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS1503V,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS1503V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS1503V,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS1503V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS1503V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS1503V,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10 kΩ，R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO 输出驱动LED、继电器或小功率MOSFET栅极，简化电路并提升响应速度； 2. 高密度板载信号切换：因采用SOT-666超小型封装（尺寸仅2.0×1.25×0.95 mm），广泛用于空间受限的便携设备（如智能穿戴、TWS耳机充电仓、IoT传感器节点）中实现多路开关或信号反相； 3. 电源管理辅助电路：用于DC-DC转换器中的使能控制、电源状态指示或负载开关的驱动级，利用其低输入电流（典型IIN≈0.3 mA @ VIN=5 V）降低主控功耗； 4. 工业与消费类电子中的缓冲/反相器应用：如键盘扫描矩阵、LED数码管段驱动、风扇转速控制信号调理等，凭借预偏置特性提高抗干扰能力和温度稳定性。 该器件支持-55°C至+150°C宽温工作，具备AEC-Q100 1级可靠性认证（部分批次），亦可用于车规级辅助电子模块（如车身控制单元BCU中的非安全相关信号处理）。注意：不适用于大电流（IC max=100 mA）、高频射频或线性放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS1503V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7221-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
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