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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV9215Z,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV9215Z,115价格参考。NXP SemiconductorsPBHV9215Z,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBHV9215Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBHV9215Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBHV9215Z,115 是 Nexperia 推出的高压、高增益 NPN 双极结型晶体管(BJT),主要面向工业与汽车电子中的中等功率开关与线性放大应用。其关键参数包括:VCEO = 150 V(高击穿电压)、IC = 1 A(连续集电极电流)、hFE(直流电流增益)典型值达 300(在 IC = 100 mA 时),并具备AEC-Q101汽车级认证,支持-55°C 至 +175°C宽温工作范围。 典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车载LED驱动电路、车身控制模块(BCM)中的继电器/电磁阀驱动、雨刷/车窗电机控制等需耐高压、抗干扰的开关节点; ✅ 工业控制:PLC输出级驱动、电源管理中的辅助稳压/基准电路、隔离式反馈回路中的光耦驱动晶体管; ✅ 电源系统:离线式AC-DC适配器或LED驱动器中的次级侧误差放大器、过压保护(OVP)检测电路、以及高压偏置电源的有源调整管; ✅ 通用高压开关:替代传统MOSFET在低成本、低频(≤100 kHz)、强调高DC增益与温度稳定性的场合,如传感器信号调理、精密电流源等。 该器件采用SOT223封装,散热性能良好,且无需外部基极限流电阻即可可靠工作(得益于高hFE),有助于简化PCB设计、提升系统可靠性。适用于对功能安全(ASIL兼容设计)、长期稳定性及高温鲁棒性有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 150V 2A SOT223两极晶体管 - BJT 150V 2A PNP HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9215Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV9215Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 400mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 1A,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6384-2 |
| 功率-最大值 | 1.45W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 35 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.45 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 200 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 35MHz |